Dysk SSD Samsung 990 EVO Plus 2TB M.2 2280 PCI-E x4 Gen4 NVMe (MZ-V9S2T0BW)
Produkt nowy !! Nieużywany i wypakowany w celu sprawdzenia !! Produkt dostępny od ręki. Na życzenie zrobimy real foto. Oryginalne opakowanie.
DYSK NIEZAINICJOWANY !
Opis produktu
Spektakularna prędkość każdego dnia
Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7,250/ 6,300 MB/s. Natychmiastowy transfer ogromnych plików.
Inteligentne zarządzanie energią cieplną
Zoptymalizowana wydajność, zwiększone możliwości. Pokryty niklem kontroler zwiększa przepustowość MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom mocy i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub zabawie bez obaw o przegrzanie lub żywotność baterii.
Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość.
Wykorzystaj pełną moc swojego dysku dzięki ulepszonej technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Szybsze przetwarzanie ogromnych ilości danych i płynne przechodzenie przez ciężkie grafiki dzięki TurboWrite 2.0. Teraz dostępny w pojemności do 4 TB.
Oprogramowanie Samsung Magician
Odkryj magię w swoim dysku SSD. Narzędzia optymalizacyjne oprogramowania Samsung Magician zapewniają najlepszą wydajność dysku SSD. To bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Oprogramowanie chroni cenne dane, monitoruje stan dysku i pobiera najnowsze aktualizacje.
Innowacyjność w praktyce
Przez dziesięciolecia pamięć flash NAND firmy Samsung napędzała przełomowe technologie, które zmieniały każdą część naszego codziennego życia. Technologia NAND flash została zastosowana w naszych dyskach SSD i stanowi silny impuls dla kolejnych innowacji.


Specyfikacja
Wyróżnione
- Format dysku: M.2 2280
- Interfejs: PCI-E x4 Gen4 NVMe
- Pojemność dysku: 2 TB
- Szybkość odczytu: 7250 MB/s
- Szybkość zapisu: 6300 MB/s
Produkt
- Model: 990 EVO Plus
- Kod producenta: MZ-V9S2T0BW
Parametry fizyczne
- Format dysku: M.2 2280
- Grubość: Brak danych
- Radiator: Nie
Parametry techniczne
- Pojemność: 2 TB
- Interfejs: PCI-E x4 Gen4 NVMe
- Rodzaj kości pamięci: TLC
- Pamięć podręczna: Brak danych
- Kontroler: Samsung Piccolo
- Klucz: M
- Szyfrowanie sprzętowe: Tak
Wydajność
- Szybkość odczytu: 7250 MB/s
- Szybkość zapisu: 6300 MB/s
- Odczyt losowy: 1 000 000 IOPS
- Zapis losowy: 1 350 000 IOPS
Trwałość
- Nominalny czas pracy: 1,5 mln godzin
- TBW (Total Bytes Written): 1200 TB

